IC制造過程中去除光刻膠

光刻膠的去除在IC制造工藝流程中占非常重要的地位，其成本約占IC制造工藝的20-30%，光刻膠去膠效果太弱影響生產(chǎn)效率，去膠效果太強容易造成基底損傷，影響整個產(chǎn)品的成品率 。傳統(tǒng)主流去膠方法采用濕法去膠，成本低效率高，但隨著技術(shù)不斷迭代更新，越來越多IC制造商開始采用干法式去膠，干法式去膠工藝不同于傳統(tǒng)的濕法式去膠工藝，它不需要浸泡化學(xué)溶劑，也不用烘干，去膠過程更容易控制，避免過多算上基底， 提高產(chǎn)品成品率。

干法式去膠又被稱為等離子去膠，其原理同等離子清洗類似，主要通過氧原子核和光刻膠在等離子體環(huán)境中發(fā)生反應(yīng)來去除光刻膠，由于光刻膠的基本成分是碳氫有機物，在射頻或微波作用下，氧氣電離成氧原子并與光刻膠發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，生成一 氧化碳，二氧化碳和水等，再通過泵被真空抽走，完成光刻膠的去除。